FDV301N vs 2N7002LT1G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDV301N por onsemi e 2N7002LT1G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FDV301N 2N7002LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,08 $0,02
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 25 V —
Continuous Drain Current (Id) 220 mA (Ta) —
Peak Drain Current 0.5 A —
RDS(on) at VGS = 2.7 V 5 ohm (typical) —
RDS(on) typical 4 ohm —
Power Dissipation (Pd) 350 mW (Ta) —
Technology High cell density DMOS MOSFET
Gate Drive Type Logic level (no bias resistors required) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Número de pinos — 3
Categoria — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Fichas técnicas e recursos

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