FQP50N06 vs IRFZ44NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de FQP50N06 por onsemi y IRFZ44NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro FQP50N06 IRFZ44NSTRLPBF
Marca onsemi Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,93
Manufacturer onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) —
Part Number FQP50N06 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Planar Stripe DMOS HEXFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc 120 W —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) max] —
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V 0.022 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 42 nC
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Encapsulado TO-220-3 (through-hole) D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización