FQP50N06 vs IRFZ44NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FQP50N06 par onsemi et IRFZ44NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FQP50N06 IRFZ44NSTRLPBF
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,93
Manufacturer onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) —
Part Number FQP50N06 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Planar Stripe DMOS HEXFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc 120 W —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) max] —
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V 0.022 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 42 nC
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Boîtier TO-220-3 (through-hole) D2PAK (TO-263)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

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