FQP50N06 vs IRFZ44NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FQP50N06 por onsemi e IRFZ44NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FQP50N06 IRFZ44NSTRLPBF
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,93
Manufacturer onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) —
Part Number FQP50N06 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Planar Stripe DMOS HEXFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc 120 W —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) max] —
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V 0.022 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 42 nC
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Encapsulamento TO-220-3 (through-hole) D2PAK (TO-263)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

Fichas técnicas e recursos

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