H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix y H5AN4G6NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,60 $6,15
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organización de memoria 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interfaz DDR4 (double data rate, synchronous) CMOS, fully synchronous
Package Code TFBGA TFBGA (FBGA-96)
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96), rectangular —
Number of Terminals 96 96
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Características Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] —
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Density — 4 Gb
Tensión de alimentación — 1.2 V
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

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