H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,60 $6,15
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface DDR4 (double data rate, synchronous) CMOS, fully synchronous
Package Code TFBGA TFBGA (FBGA-96)
Boîtier FBGA-96 (PBGA96), rectangular —
Number of Terminals 96 96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Caractéristiques Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] —
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free)
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet
Density — 4 Gb
Tension d'alimentation — 1.2 V
Package Shape — Rectangular
Package Width — 7.5 mm
Self Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Grade — -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin)

Fiches techniques et ressources

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