H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN4G6NBJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-PBC | H5AN4G6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.60 | $6.15 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | DDR4 (double data rate, synchronous) | CMOS, fully synchronous |
| Package Code | TFBGA | TFBGA (FBGA-96) |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96), rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 특징 | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] | — |
| Data Rate / Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | — |
| Process | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | OTHER (per distributor listing) | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet |
| Density | — | 4 Gb |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Package Width | — | 7.5 mm |
| Self Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Speed Grade | — | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) |