H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,09 | $6,45 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes (DM) | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |