H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,09 | $6,45 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes (DM) | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |