H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.09 | $6.45 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| 동작 온도 | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | Yes (DM) | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |