H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G6NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ 生産中
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H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.09 $6.45
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Technology CMOS —
動作温度 -40C to +95C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
パッケージ FBGA-96 (PBGA-96) FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh Auto self-refresh
Data Mask Function Yes (DM) Yes
Asynchronous Reset Yes (RESET_n) Yes
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes (command/address CRC) Yes
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 16 Gb (2 GB)
電源電圧 — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]

データシート&リソース

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