H5AN4G8NBJR-PBC vs K4A4G085WD-BCTD Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix y K4A4G085WD-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung

K4A4G085WD-BCTD ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G8NBJR-PBC K4A4G085WD-BCTD
Marca SK hynix Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,20 $2,05
Memory Density 4 Gbit —
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tipo de interfaz Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Encapsulado 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC —
Die Generation — D-die
Density — 4 Gb
Velocidad de datos — 2666 Mbps/pin
Tensión de alimentación — 1.2 V
Temperatura de funcionamiento — 0C to +85C
Ball Pitch — 0.8 mm
Interfaz — DDR4 (JEDEC-compatible)
Speed Class — DDR4-2666 (PC4-21300)
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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