H5AN4G8NBJR-PBC vs K4A4G085WD-BCTD 比較
詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-PBC メーカー: SK hynix および K4A4G085WD-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | H5AN4G8NBJR-PBC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.20 | $2.05 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| インターフェースタイプ | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| データレート | — | 2666 Mbps/pin |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| インターフェース | — | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |