H5AN4G8NBJR-PBC vs K4A4G085WD-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 K4A4G085WD-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-PBC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.20 | $2.05 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 인터페이스 유형 | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps/pin |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| 인터페이스 | — | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |