H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,95 | $2,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Interfaz | DDR4 (Double Data Rate IV) | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Estado RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |