H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.95 | $2.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 인터페이스 | DDR4 (Double Data Rate IV) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | — |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| RoHS 상태 | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |