H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKIR por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-VKIR | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,98 | $3,18 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps per pin | 2400 Mbps (PC2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (Industrial) | -40C to +85C (case) | — |
| Extended Temperature Range | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Product Family | H5AN4G4/6/8NBJR series | — |
| Speed Grade Code | -VKI | — |
| Packing Suffix | R (Tape & Reel) | — |
| VPP Supply | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC) |
| Lifecycle Code | — | Active |
| Estado RoHS | — | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |