H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKIR par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKIR | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,98 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps per pin | 2400 Mbps (PC2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (Industrial) | -40C to +85C (case) | — |
| Extended Temperature Range | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Product Family | H5AN4G4/6/8NBJR series | — |
| Speed Grade Code | -VKI | — |
| Packing Suffix | R (Tape & Reel) | — |
| VPP Supply | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC) |
| Lifecycle Code | — | Active |
| Statut RoHS | — | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |