H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,98 $3,18
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2666 Mbps per pin 2400 Mbps (PC2400)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус 78-ball FBGA TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) —
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Напряжение питания — 1.2 V
Интерфейс — DDR4 (JEDEC)
Lifecycle Code — Active
Статус RoHS — Compliant (Rohs Code: Yes)
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену