H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix y H5AN8G6NAFR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,74 | $3,05 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | TFBGA |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Estado RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |