H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-RDC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,74 | $3,05 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Taxa de dados | 2400 MT/s | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | TFBGA |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Status RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |