H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-VKC por SK hynix y H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-VKC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,25 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | — |
| Estado RoHS | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | — |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Velocidad de datos | — | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |