H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-VKC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NAFR-VKC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,25 | $60,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | — |
| Status RoHS | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | — |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Taxa de dados | — | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |