H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NCJR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-VKC от SK hynix и H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,25 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS —
Корпус FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR —
Тип монтажа Surface Mount (BGA) —
Статус RoHS Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant —
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +95°C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Скорость передачи данных — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену