H5AN8G6NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-PBC por SK hynix y K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,30 | $23,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 8Gb x16 (512M x 16) | — |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] | 2400 Mbps |
| Family Data Rate Range | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Encapsulado | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | 0°C to +95°C (case) |
| Interfaz | Parallel, synchronous to both clock edges | 16-bit I/O |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latencia CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |