H5AN8G6NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-PBC par SK hynix et K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,30 | $23,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 8Gb x16 (512M x 16) | — |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] | 2400 Mbps |
| Family Data Rate Range | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Boîtier | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0°C to +95°C (case) |
| Interface | Parallel, synchronous to both clock edges | 16-bit I/O |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |