H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-RDC por SK hynix y H5AN8G6NCJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NCJR-RDC | H5AN8G6NCJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $19,69 | $0,00 |
| Memory Density | 8 Gb (8589934592 bit) | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Technology | CMOS | — |
| Package Code | TFBGA (PBGA96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Data Rate Family | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Estado RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Encapsulado | — | FBGA-96 (96-ball) |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +95C |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet) |