H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-RDC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-RDC | H5AN8G6NCJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $19,69 | $0,00 |
| Memory Density | 8 Gb (8589934592 bit) | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Technology | CMOS | — |
| Package Code | TFBGA (PBGA96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Data Rate Family | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Boîtier | — | FBGA-96 (96-ball) |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet) |