H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NCJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NCJR-RDC H5AN8G6NCJR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $19.69 $0.00
Memory Density 8 Gb (8589934592 bit) —
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Technology CMOS —
Package Code TFBGA (PBGA96) —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperature Grade OTHER —
Data Rate Family [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] —
Supply Voltage Class [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes Yes
CRC Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
RoHS 상태 Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]
Density — 8 Gb
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
공급 전압 — 1.2 V
패키지 — FBGA-96 (96-ball)
동작 온도 — 0C to +95C
Data Mask (DM) — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)

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