H5AN8G6NDJR vs K4A8G165WB-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NDJR por SK hynix y K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NDJR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $35,00 | $37,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latencia CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |