H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,40 $2,88
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gb (1 GB) —
Organización de memoria 1G x 8 (x8) 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] —
Encapsulado 78-ball FBGA FBGA-78
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 —
Características ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
Estado RoHS Lead-Free & Halogen-Free —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Density — 8 Gb
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
Sin halógenos — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

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