H5AN8G8NCJR-PBC vs H5AN8G8NCJR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NCJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.40 $2.88
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 8 Gb (1 GB) —
메모리 구성 1G x 8 (x8) 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] —
패키지 78-ball FBGA FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 —
특징 ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
RoHS 상태 Lead-Free & Halogen-Free —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Density — 8 Gb
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
할로겐 프리 — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

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