H5AN8G8NCJR-PBC vs MT40A1G8AG-062E Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix y MT40A1G8AG-062E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ Activo
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G8NCJR-PBC MT40A1G8AG-062E
Marca SK hynix Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,40 $3,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gb (1 GB) 8 Gbit
Organización de memoria 1G x 8 (x8) 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] —
Encapsulado 78-ball FBGA 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 —
Características ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
Estado RoHS Lead-Free & Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS status]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Interfaz — Parallel
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

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