H5AN8G8NCJR-PBC vs MT40A1G8AG-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-PBC par SK hynix et MT40A1G8AG-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ Actif
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G8NCJR-PBC MT40A1G8AG-062E
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,40 $3,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gb (1 GB) 8 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 8 (x8) 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V (SSTL12) —
Débit de données [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] —
Boîtier 78-ball FBGA 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Architecture CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked —
Bank Structure 8 internal banks, bank-group architecture —
Burst Length BL8 —
Caractéristiques ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh —
Die Revision Family CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) —
Statut RoHS Lead-Free & Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Typical Applications PC/server main memory, embedded solder-down memory —
Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

Fiches techniques et ressources

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