H5AN8G8NCJR-PBC vs MT40A1G8AG-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-PBC 제조: SK hynix 및 MT40A1G8AG-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NCJR-PBC | MT40A1G8AG-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.40 | $3.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 1G x 8 (x8) | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| 특징 | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| RoHS 상태 | Lead-Free & Halogen-Free | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns class (-062E speed grade) |
| Temperature Grade | — | Automotive (AUT) |
| Access Time (CAS Latency class) | — | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CA Parity | — | Supported (DDR4 command/address parity) |
| Packaging Option | — | Tape and Reel (TR / :R suffix) |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |