H5AN8G8NCJR-PBC vs MT40A1G8AG-062E 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-PBC メーカー: SK hynix および MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NCJR-PBC | MT40A1G8AG-062E |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.40 | $3.10 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| メモリ構成 | 1G x 8 (x8) | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| データレート | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| 特長 | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| RoHS ステータス | Lead-Free & Halogen-Free | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| インターフェース | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns class (-062E speed grade) |
| Temperature Grade | — | Automotive (AUT) |
| Access Time (CAS Latency class) | — | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 bank groups) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| CA Parity | — | Supported (DDR4 command/address parity) |
| Packaging Option | — | Tape and Reel (TR / :R suffix) |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |