H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,70 | $2,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| Organización de memoria | x8 | 1G x 8 (x8) |
| Velocidad de datos | up to 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (VDD) | — |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb (1 GB) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Características | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |