H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,70 | $2,40 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| Organização da memória | x8 | 1G x 8 (x8) |
| Taxa de dados | up to 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (VDD) | — |
| Interface | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | BL8 |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb (1 GB) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Recursos | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |