H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,70 | $28,13 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| Organización de memoria | x8 | — |
| Velocidad de datos | up to 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (VDD) | — |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +85C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) |
| Operating Current (typ) | — | 30 mA |
| Standby Current (typ) | — | 3 mA |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh period] |