H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-RDC | H5AN8G8NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,70 | $28,13 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| Density | 8 Gb (1 GB) | — |
| Organisation de la mémoire | x8 | — |
| Débit de données | up to 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (VDD) | — |
| Interface | DDR4 (JEDEC standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) |
| Operating Current (typ) | — | 30 mA |
| Standby Current (typ) | — | 3 mA |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh period] |