H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中
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H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.70 $28.13
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Density 8 Gb (1 GB) —
メモリ構成 x8 —
データレート up to 2666 Mbps 2666 Mbps/pin
電源電圧 1.2 V (VDD) —
インターフェース DDR4 (JEDEC standard) Parallel (DDR4)
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] 0C to +85C
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
メモリサイズ — 8 Gbit
Memory Organization — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

データシート&リソース

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