H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-VKI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $28,13 | $4,85 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 1G x 8 | 1G x8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Encapsulado | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | FBGA-78 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile | — | Yes |
| Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Technology | — | CMOS |
| Product Family | — | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |