H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $28,13 $4,85
Tipo de memória DDR4 SDRAM (volatile) DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gb
Memory Organization 1G x 8 1G x8
Taxa de dados 2666 Mbps/pin 2666 Mbps
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) —
Operating Current (typ) 30 mA —
Standby Current (typ) 3 mA —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Encapsulamento FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel (DDR4) Parallel
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh period] —
Tensão de alimentação — 1.2 V
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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