H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-VKC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-VKI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-VKI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $28,13 | $4,85 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 1G x 8 | 1G x8 |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile | — | Yes |
| Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Technology | — | CMOS |
| Product Family | — | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |