H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-VKI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $28.13 $4.85
メモリタイプ DDR4 SDRAM (volatile) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit 8 Gb
Memory Organization 1G x 8 1G x8
データレート 2666 Mbps/pin 2666 Mbps
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) —
Operating Current (typ) 30 mA —
Standby Current (typ) 3 mA —
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
パッケージ FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) FBGA-78
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel (DDR4) Parallel
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh period] —
電源電圧 — 1.2 V
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼