H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix y H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,85 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0°C to +95°C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |