H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-VKI par SK hynix et H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,85 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0°C to +95°C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |