H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix e H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,85 | $60,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Encapsulamento | FBGA-78 | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0°C to +95°C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |