H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G6NCJR-VKC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-VKI от SK hynix и H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,85 | $60,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Корпус | FBGA-78 | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0°C to +95°C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |