H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix y H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,85 | $2,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Lead-Free & Halogen-Free |
| Organización de memoria | — | 1G x 8 (x8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Características | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |